研究领域：量子干涉效应

堆叠相互作用在化学，生物学和材料光电子学领域非常重要，因为它们决定了分子及其量子态之间电荷转移的效率。先前的研究已经证明，当两个单体π串联堆叠形成二聚体时，二聚体的电导率明显低于单体的电导率。但是本文提出了一个完全相反情况：作者发现在室温下通过扫描隧道断裂结技术（STM-BJ）观察到类石墨烯分子中由不同堆叠模式引起的量子干涉效应（QI）所导致的非经典的电导显著增强的行为，其电导率增加了25倍。 通过理论计算证明了这种效应可以通过改变外部电极到单体核心的连通性来逆转。这些结果开辟了从有机光电子学和光伏到纳米电子学和单分子电子学的各种潜在应用。 （a）单体和二聚体的电路示意图；（b）使用STM-BJ技术测量单体和二聚体分子结的示意图；（c）在0.1V的偏压下测量到的分子结的二维位移-电导直方图，其中低导（黄色）和高导（绿色）被分开绘制；（d）高导态的二维归一化噪声功率谱；（e）不同点位下的一维电导直方图；（f）单体和二聚体电导作为费米能级函数的理论预测。